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TSMC reiteró su postura tan esperada sobre las herramientas de grabado EUV de entrada Reproducción de High-NA en su Simposio de Tecnología Europea en Amsterdam. La compañía no requiere estos sistemas de grabado de más entrada escala para sus tecnologías de proceso de próxima engendramiento, incluidas las tecnologías de proceso A16 (clase de 1.6nm) y A14 (1.4 nm de clase). Con ese fin, TSMC no adoptará herramientas EUV de entrada NA para estos nodos.
“La muchedumbre parece siempre interesada cuando TSMC usa High-NA, creo que nuestra respuesta es muy simple”, dijo Kevin Zhang, vicepresidente co-coo y vicepresidente senior de exposición empresarial y ventas globales, en el evento. “Cada vez que veamos High-NA proporcionará un beneficio significativo y medible, lo haremos. Con A14, la prosperidad de la que hablé anteriormente es muy sustancial sin usar High-NA. Por lo tanto, nuestro equipo de tecnología continúa encontrando una forma de extender la vida del EUV flagrante mientras recoluta el beneficio de escalera”.
El proceso A14 de TSMC se basamento en los transistores de segunda engendramiento de NanoSheet Gate-All-Around de la compañía, yuxtapuesto con una nueva bloque de células habitual. Según TSMC, A14 proporciona un rendimiento de hasta un 15% decano a la misma potencia y complejidad, o alternativamente, un consumo de energía de 25% a 30% más bajo a la misma frecuencia. En términos de densidad del transistor, A14 logra un aumento del 20% en comparación con N2 para las configuraciones de deducción mixta/SRAM/analógica y hasta el 23% cuando se tráfico de deducción pura.
Dichos aumentos de rendimiento, potencia y densidad de transistores representan la citación “preeminencia de nodo completo” y, sin requisa, TSMC no necesita herramientas de grabado EUV de entrada engendramiento para producir chips con rendimientos predecibles y las características deseadas de rendimiento y potencia en sus tecnologías de procesos A16 y A14. Uno debe tener en cuenta que el A16 de TSMC es esencialmente N2P con una red de entrega de potencia trasera Super Power Riel (SPR). Como TSMC no necesita herramientas EUV de entrada NA para N2 y N2P, siquiera las necesitará para A16. Por el contrario, A14 es un nodo completamente nuevo que se utilizará para la producción en masa en 2028, por lo que el hecho de que TSMC no necesite High-NA para este es harto extraordinario.
Cuando se le preguntó si A14 depende en gran medida del patrón múltiple, Zhang respondió que no podía comentar sobre los detalles, pero dijo que el equipo de tecnología de TSMC había antagónico una forma de producir chips en un nodo de 1,4 nm sin utilizar herramientas de EUV de entrada NA que proporcione una resolución de 8 nm en comparación con una resolución de 13.5 nm de los sistemas EUV Low-ANA.
“Esta es una gran innovación de nuestro equipo de tecnología”, dijo Zhang. “Mientras continúen encontrando una forma, obviamente, no tenemos que usar EUV High-NA. Eventualmente, lo usaremos en algún momento. Es para que necesitemos encontrar un punto de intercepción correcto, proporcionar el beneficio mayor, el mayor retorno de la inversión”.
Es de destacar que el A14 de TSMC será sucedido por A14 con la entrega de potencia de la parte posterior SPR en 2029, y siquiera parece que la fundición requerirá herramientas de EVEV de entrada NA para esta iteración. Con ese fin, parece que, a diferencia de Intel, que comenzará a usar máquinas de grabado EUV de próxima engendramiento con su tecnología de fabricación 14A para sujetar el número de exposiciones de EUV (observar: multiplicar) y procesar pasos en 2027-2028, TSMC no tiene planes de utilizar el UUV para la producción en masa hasta al menos 2030, o tal vez incluso más tarde.
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