“Es el transistor más rápido y eficaz de la historia”, proclama un anuncio de la Universidad de Pekín. “Y lo más importante de todo, no hay rastrillo de silicio involucrado”. agrega Hacer ciencia.
Desde Post de la mañana del sur de China:
Un equipo de investigadores de la Universidad de Pekín afirma acaecer destrozado los límites de rendimiento de las chips y demostró que China puede usar nuevos materiales para “cambiar los carriles” en la carrera de semiconductores al eludir por completo los obstáculos basados ​​en silicones.

Los investigadores, liderados por el profesor de química física, Peng Hailin, dijeron que su transistor 2D autoengalleizado podría proceder un 40 por ciento más rápido que el borde de corte de Intel y TSMC Chips de silicio de 3 nanómetrosmientras consume un 10 por ciento menos de energía … “Si adecuadamente este camino nace de la carencia correcto a las sanciones actuales, todavía obliga a los investigadores a encontrar soluciones desde nuevas perspectivas”, agregó (Hailin).
“La principal innovación de Pekín proviene de la naturaleza bidimensional de sus transistores, facilitados mediante el uso de un dato que no sea silicio”, escritura Hardware de Tom:

Biâoâse, o bismuto oxisénido, es un material semiconductor estudiado para su uso en los nodos de proceso sub-1NM durante primaveras, en gran parte gracias a su capacidad de ser un semiconductor 2D. Los semiconductores bidimensionales, como 2D Biâoâse, son más flexibles y resistentes a pequeña escalera que el silicio, que se encuentra con una movilidad de portador corta incluso en el nodo de 10 nm. Tales avances en transistores 2D apilados y el movimiento de silicio a bismuto son emocionantes para el futuro de los semiconductores y son necesarios para que la industria china compita a la vanguardia de los semiconductores.
Hacer ciencia Agrega esta nota de incredulidad. “Convertir los avances de laboratorio en chips comerciales generalmente lleva primaveras, a veces décadas …”

Gracias al leedor de SlashDot Schwit1 por compartir el artículo.